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首页 全部分类 BSC061N08NS5ATMA1 vs IRFH5106TRPBF

BSC061N08NS5ATMA1备选型号: IRFH5106TRPBF

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  • 端子表面处理
  • 配置
  • 功率耗散
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC061N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 80V 82A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    506.605978mg
    SILICON
    82A Tc
    3.8V @ 41μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.1m Ω @ 41A, 10V
    无卤素
    2500pF @ 40V
    33nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    5 ns
    82A
    20V
    80V
    50 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5106TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    SILICON
    21A Ta 100A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    -
    260
    40
    R-PDSO-N5
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 50A, 10V
    -
    3090pF @ 25V
    75nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    9.5 ns
    100A
    20V
    -
    96 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    114W
    2V
    0.0056Ohm
    60V
    400A
    2 V
    838.2μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
    无
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