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首页 全部分类 BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC082N10LSGATMA1

BSC070N10NS5ATMA1备选型号: BSC082N10LSGATMA1

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  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • Infineon Technologies
    BSC070N10NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    506.605978mg
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7m Ω @ 40A, 10V
    3.8V @ 50μA
    无卤素
    2700pF @ 50V
    38nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    6 ns
    14A
    20V
    100V
    0.007Ohm
    100V
    320A
    55 mJ
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC082N10LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8-Pin TDSON EP
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    13.8A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    -
    -
    增强型MOSFET
    156W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 100A, 10V
    2.4V @ 110μA
    无卤素
    7400pF @ 50V
    104nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    -
    100A
    20V
    100V
    -
    -
    400A
    377 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    e3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    not_compliant
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
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