您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSC079N03LSCGATMA1 vs IRF8113GPBF

BSC079N03LSCGATMA1备选型号: IRF8113GPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC079N03LSCGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-KANAL POWER MOS
    26 Weeks
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    4.5V 10V
    2.2V @ 250μA
    2004
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.9m Ω @ 30A, 10V
    1600pF @ 15V
    19nC @ 10V
    2.4ns
    30V
    ±20V
    14A
    20V
    200A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113GPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    17.2A Ta
    2.2V @ 250μA
    2009
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    -
    13 ns
    N-Channel
    -
    5.6mOhm @ 17.2A, 10V
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    8.9ns
    30V
    ±20V
    17.2A
    20V
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    8-SO
    150°C
    -55°C
    3.5 ns
    30V
    2.91nF
    7.4mOhm
    5.6 mΩ
    2.2 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFHM8330TRPBF IRFHM8330TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN 对比
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 对比
IRF8113GPBF IRF8113GPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO 对比