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首页 全部分类 BSC0901NSIATMA1 vs BSC014N03MSGATMA1

BSC0901NSIATMA1备选型号: BSC014N03MSGATMA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    BSC0901NSIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    28A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    2600pF @ 15V
    20nC @ 15V
    7.2ns
    ±20V
    4.6 ns
    28A
    20V
    30V
    0.0026Ohm
    400A
    45 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
  • Infineon Technologies
    BSC014N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    30A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    OptiMOS™
    e3
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    32 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    13000pF @ 15V
    173nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    -
    30A
    20V
    30V
    -
    400A
    340 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    不合格
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