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首页 全部分类 BSC0911NDATMA1 vs BSC032NE2LSATMA1

BSC0911NDATMA1备选型号: BSC032NE2LSATMA1

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSC0911NDATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET LV POWER MOS
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    Tin
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1W
    R-PDSO-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3.2m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1600pF @ 12V
    12nC @ 4.5V
    5.4ns
    4 ns
    30A
    20V
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC032NE2LSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Channel 25V MOSFET
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    Tin
    8
    SILICON
    22A Ta 84A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    N-Channel
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    1200pF @ 12V
    16nC @ 10V
    2.8ns
    -
    22A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    无卤素
    ±20V
    25V
    336A
    20 mJ
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