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首页 全部分类 BSC883N03LSGATMA1 vs NVTFS4C05NWFTAG

BSC883N03LSGATMA1备选型号: NVTFS4C05NWFTAG

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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC883N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A Ta 98A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    34nC @ 10V
    4.4ns
    34V
    ±20V
    4 ns
    98A
    2.2V
    20V
    17A
    392A
    34V
    50 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C05NWFTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    22A Ta 102A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    -
    DUAL
    无铅
    -
    -
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1988pF @ 15V
    31nC @ 10V
    -
    30V
    ±20V
    -
    102A
    -
    20V
    22A
    433A
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    not_compliant
    AEC-Q101
    0.0051Ohm
    无铅
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