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首页 全部分类 BSD816SNH6327XTSA1 vs BSD816SNL6327HTSA1

BSD816SNH6327XTSA1备选型号: BSD816SNL6327HTSA1

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  • 触点镀层
  • 底架
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  • 包装/外壳
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  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 下降时间（典型值）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Infineon Technologies
    BSD816SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL N-CH
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    5.3 ns
    N-Channel
    160m Ω @ 1.4A, 2.5V
    0.95V @ 3.7μA
    180pF @ 10V
    0.6nC @ 2.5V
    9ns
    ±8V
    1.4A
    8V
    20V
    800μm
    2mm
    1.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSD816SNL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    5.3 ns
    N-Channel
    160m Ω @ 1.4A, 2.5V
    950mV @ 3.7μA
    180pF @ 10V
    0.6nC @ 2.5V
    9ns
    ±8V
    1.4A
    8V
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    6
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.2 ns
    10 pF
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