Infineon Technologies BSD816SNL6327HTSA1
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BSD816SNL6327HTSA1
1211-BSD816SNL6327HTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R
1最小包装量--
BSD816SNL6327HTSA1详情
Infineon Technologies BSD816SNL6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 2.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
5.3 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1.4A, 2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 3.7μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
180pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6nC @ 2.5V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
2.2 ns
连续放电电流(ID)
1.4A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大双电源电压
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
BSD816SNL6327HTSA1拓展信息
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