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首页 全部分类 BSF035NE2LQXUMA1 vs BSC026NE2LS5ATMA1

BSF035NE2LQXUMA1备选型号: BSC026NE2LS5ATMA1

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • JESD-30代码
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSF035NE2LQXUMA1
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 69A; 28W
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    3
    SILICON
    22A Ta 69A Tc
    2V @ 250μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e4
    活跃
    3 (168 Hours)
    3
    EAR99
    Silver/Nickel (Ag/Ni)
    8541.29.00.95
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 30A, 10V
    1862pF @ 12V
    25nC @ 10V
    ±20V
    69A
    22A
    0.0046Ohm
    25V
    276A
    50 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC026NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    24A Ta 82A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    -
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.6m Ω @ 30A, 10V
    1100pF @ 12V
    16nC @ 10V
    ±16V
    82A
    24A
    0.004Ohm
    -
    -
    14 mJ
    ROHS3 Compliant
    yes
    R-PDSO-F5
    无卤素
    25V
    not_compliant
    含铅
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