Infineon Technologies BSF035NE2LQXUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Ta 69A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 28W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2013

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Silver/Nickel (Ag/Ni)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1862pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

69A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.0046Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

276A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant