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BSH111BKR备选型号: NX138BKR
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 环境温度范围高
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET 55V N-channel Trench MOSFET4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON210mA Ta1.3V @ 250μA-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET302mW8.3 nsN-ChannelSWITCHING4 Ω @ 200mA, 4.5V30pF @ 30V0.5nC @ 4.5V8.4ns±10V4.8 ns210mA1V10V4Ohm55V150°C150°C7 pF1.1mmROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET N-CH 60V TO-236AB4 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON265mA Ta1.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING3.5 Ω @ 200mA, 10V20.2pF @ 30V0.49nC @ 4.5V-±20V-265mA--3.8Ohm-----ROHS3 Compliant-未说明未说明IEC-60134R-PDSO-G360VTO-236AB0.265A60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | 对比 |
| NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
| BSS138Q-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
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