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首页 全部分类 BSH205G2R vs IRLML2246TRPBF

BSH205G2R备选型号: IRLML2246TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    BSH205G2R
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    170m Ω @ 2A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    418pF @ 10V
    6.5nC @ 4.5V
    14ns
    20V
    ±8V
    16 ns
    2A
    8V
    2A
    0.17Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML2246TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    5.3 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    135m Ω @ 2.6A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    220pF @ 16V
    2.9nC @ 4.5V
    7.7ns
    20V
    ±12V
    16 ns
    2.6A
    12V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    e3
    EAR99
    236MOhm
    Matte Tin (Sn)
    Single
    1.3W
    -1.1V
    -20V
    26 ns
    -1.1 V
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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