ON Semiconductor FDN308P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

125MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

341pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.4nC @ 4.5V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

-1.5A

阈值电压

-1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

栅源电压

-1 V

高度

940μm

长度

2.92mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅