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BSL306NL6327HTSA1备选型号: DMG6601LVT-7
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- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 通道数量
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 6-Pin TSOP T/R表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99雪崩 额定500mW鸥翼BSL3066SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET4.4 ns2 N-Channel (Dual)57m Ω @ 2.3A, 10V2V @ 11μA275pF @ 15V1.6nC @ 5V2.3ns30V1.4 ns2.3A20V0.057Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门17 pF无符合RoHS标准---------------------
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-626SILICON3.8A 2.5A-55°C~150°C TJCut Tape (CT)-2009yes活跃1 (Unlimited)6EAR99HIGH RELIABILITY850mW鸥翼DMG6601--增强型MOSFET1.7 nsN and P-Channel55m Ω @ 3.4A, 10V1.5V @ 250μA422pF @ 15V12.3nC @ 10V4.6ns-2.2 ns2.5A12V0.055Ohm-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门--ROHS3 Compliant15 WeeksGolde3Matte Tin (Sn)DUAL260未说明AEC-Q101R-PDSO-G62850mWSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNEL3.8A30V150°C1mm2.9mm1.6mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6 | 对比 |
| DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | 对比 |
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP | 对比 |
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