Diodes Incorporated DMG6601LVT-7

工厂交货时间

15 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

26

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A 2.5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

18.3 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

850mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

DMG6601

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

850mW

接通延迟时间

1.7 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

422pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.3nC @ 10V

上升时间

4.6ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

2.2 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1mm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅