BSL308PEH6327XTSA1备选型号: BSL306NH6327XTSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 功率 - 最大
- MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2013yes活跃1 (Unlimited)6500mW鸥翼未说明未说明SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET5.6 ns2 P-Channel (Dual)80m Ω @ 2A, 10V1V @ 11μA无卤素500pF @ 15V5nC @ 10V7.7ns30V2.8 ns2A20V-30V2A0.08OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORLogic Level Gate, 4.5V Drive18 pF1mm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅--
- MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66-8.3 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2011yesObsolete1 (Unlimited)-500mW-未说明未说明--4.4 ns2 N-Channel (Dual)57m Ω @ 2.3A, 10V2V @ 11μA无卤素275pF @ 15V1.6nC @ 5V2.3ns-1.4 ns2.3A20V30V---Logic Level Gate, 4.5V Drive-1mm2.9mm1.6mmROHS3 Compliant无铅EAR99500mW
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6 | 对比 |
| BSL306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP | 对比 | |
![]() | CPH6341-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 6-Pin CPH T/R | 对比 |




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