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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.639262
10
¥2.48987
100
¥2.348934
500
¥2.215975
1000
¥2.090543
Infineon Technologies BSL308PEH6327XTSA1
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- 对比
BSL308PEH6327XTSA1
1211-BSL308PEH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
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MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSL308PEH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSL308PEH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
15.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
500mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
5.6 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 11μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 10V
上升时间
7.7ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
2.8 ns
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate, 4.5V Drive
反馈上限-最大值 (Crss)
18 pF
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSL308PEH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies








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