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首页 全部分类 BSL806NL6327HTSA1 vs NTGS3441BT1G

BSL806NL6327HTSA1备选型号: NTGS3441BT1G

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSL806NL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    500mW
    鸥翼
    BSL806
    6
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    7.5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    57m Ω @ 2.3A, 2.5V
    750mV @ 11μA
    259pF @ 10V
    1.7nC @ 2.5V
    9.9ns
    20V
    3.7 ns
    2.3A
    8V
    0.057Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    28.6 pF
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTGS3441BT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2007
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    6
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    90m Ω @ 3A, 4.5V
    900mV @ 250μA
    630pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    6ns
    -
    6 ns
    2.2A
    8V
    0.09Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    6
    e3
    Tin (Sn)
    DUAL
    未说明
    未说明
    不合格
    1.1W
    SWITCHING
    ±8V
    3A
    20V
    无铅
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