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首页 全部分类 BSM300D12P2E001 vs FDMA6023PZT

BSM300D12P2E001备选型号: FDMA6023PZT

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  • 场效应管特性
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 端子表面处理
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    BSM300D12P2E001
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
    25 Weeks
    表面贴装
    底座安装
    Module
    300A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tray
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    11
    EAR99
    1.875kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-XUFM-X11
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    1875W
    2 N-Channel (Half Bridge)
    SWITCHING
    4V @ 68mA
    35000pF @ 10V
    1200V 1.2kV
    300A
    600A
    1200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Silicon Carbide (SiC)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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  • ON Semiconductor
    FDMA6023PZT
    ON Semiconductor
    Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.4W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    700mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.5V @ 250μA
    885pF @ 10V
    -
    -3.6A
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6
    40mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e4
    yes
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    Dual
    1.4W
    13 ns
    60m Ω @ 3.6A, 4.5V
    17nC @ 4.5V
    11ns
    11 ns
    -500mV
    8V
    20V
    -500 mV
    150 pF
    500μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    无铅
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