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首页 全部分类 BSM50GD120DN2BOSA1 vs APTGT35X120T3G

BSM50GD120DN2BOSA1备选型号: APTGT35X120T3G

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
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  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSM50GD120DN2BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
    Screw, Through Hole
    底座安装
    Module
    17
    SILICON
    1.2kV
    2.5V
    150°C TJ
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    17
    EAR99
    350W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    17
    全桥
    350W
    ISOLATED
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    72A
    1mA
    1200V
    100 ns
    3V @ 15V, 50A
    450 ns
    无
    3.3nF @ 25V
    17mm
    107.5mm
    45mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT35X120T3G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    SILICON
    1.2kV
    -
    -40°C~150°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    25
    EAR99
    208W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    三相逆变器
    -
    ISOLATED
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    55A
    250μA
    1200V
    140 ns
    2.1V @ 15V, 35A
    610 ns
    有
    2.5nF @ 25V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    36 Weeks
    Bulk
    e1
    yes
    锡银铜
    R-XUFM-X25
    208W
    MOTOR CONTROL
    2.5nF
    沟渠现场停车
    20V
    2.1 V
    无
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APTGT35X120T3G APTGT35X120T3G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP3 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 32-Pin Case SP-3 对比