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首页 全部分类 BSM50GD120DN2BOSA1 vs FS50R12W2T4BOMA1

BSM50GD120DN2BOSA1备选型号: FS50R12W2T4BOMA1

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  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 操作温度
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    BSM50GD120DN2BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
    Screw, Through Hole
    底座安装
    Module
    17
    SILICON
    1.2kV
    2.5V
    150°C TJ
    2007
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    17
    EAR99
    350W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    17
    全桥
    350W
    ISOLATED
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    72A
    1mA
    1200V
    100 ns
    3V @ 15V, 50A
    450 ns
    无
    3.3nF @ 25V
    17mm
    107.5mm
    45mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FS50R12W2T4BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 83A 335W
    Screw
    底座安装
    Module
    18
    SILICON
    1.2kV
    1.85V
    -40°C~125°C
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    15
    EAR99
    335W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    33
    全桥逆变器
    335W
    ISOLATED
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    83A
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 50A
    490 ns
    有
    2.8nF @ 25V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    Tin
    no
    未说明
    未说明
    R-XUFM-X15
    不合格
    电源控制
    沟渠现场停车
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