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首页 全部分类 BSM75GB60DLCHOSA1 vs BSM50GB60DLCHOSA1

BSM75GB60DLCHOSA1备选型号: BSM50GB60DLCHOSA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
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  • 最大集极截止电流
  • 接通时间
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  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率 - 最大
  • Infineon Technologies
    BSM75GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 600V 100A 355W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    34
    SILICON
    600V
    2.2V
    -40°C~125°C
    2000
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    355W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    R-XUFM-X7
    Single
    Dual
    355W
    ISOLATED
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    100A
    500μA
    90 ns
    2.45V @ 15V, 75A
    205 ns
    无
    3.3nF @ 25V
    30.5mm
    94mm
    34mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    BSM50GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 75A 280W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    34
    SILICON
    600V
    2.2V
    -40°C~125°C
    -
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    280W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    R-XUFM-X7
    Single
    Dual
    -
    ISOLATED
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    75A
    500μA
    52 ns
    2.45V @ 15V, 50A
    151 ns
    无
    2.2nF @ 25V
    30.5mm
    94mm
    34mm
    符合RoHS标准
    无铅
    280W
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