Infineon Technologies BSM50GB60DLCHOSA1
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BSM50GB60DLCHOSA1
1211-BSM50GB60DLCHOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE 600V 75A 280W
1最小包装量--
BSM50GB60DLCHOSA1详情
Infineon Technologies BSM50GB60DLCHOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
34
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2V
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~125°C
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
280W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
7
JESD-30代码
R-XUFM-X7
配置
Single
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
280W
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
75A
最大集极截止电流
500μA
接通时间
52 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V, 50A
关断时间-标准值(toff)
151 ns
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
2.2nF @ 25V
高度
30.5mm
长度
94mm
宽度
34mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSM50GB60DLCHOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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