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首页 全部分类 BSO130P03SHXUMA1 vs DMG4822SSD-13

BSO130P03SHXUMA1备选型号: DMG4822SSD-13

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  • 端子表面处理
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSO130P03SHXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin DSO Dry
    18 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    SILICON
    2.2V @ 140μA
    1.56W Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    OptiMOS™
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    P-Channel
    13m Ω @ 11.7A, 10V
    无卤素
    3520pF @ 25V
    81nC @ 10V
    16ns
    30V
    ±25V
    9.2A
    25V
    -30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG4822SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
    15 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    -
    8
    SILICON
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    -
    鸥翼
    260
    40
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.42W
    2 N-Channel (Dual)
    20m Ω @ 8.5A, 10V
    -
    478.9pF @ 16V
    10.5nC @ 10V
    7.9ns
    30V
    -
    10A
    25V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    73.992255mg
    Matte Tin (Sn)
    1.42W
    DMG4822
    8
    Dual
    2.9 ns
    SWITCHING
    3V @ 250μA
    3.1 ns
    30V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
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