Infineon Technologies BSO110N03MSGXUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.56W Ta

Turn Off Delay Time

9.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.56W

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 12.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

4.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅