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首页 全部分类 BSO130P03SHXUMA1 vs IRF7904TRPBF

BSO130P03SHXUMA1备选型号: IRF7904TRPBF

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  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSO130P03SHXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin DSO Dry
    18 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    SILICON
    2.2V @ 140μA
    1.56W Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    OptiMOS™
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    P-Channel
    13m Ω @ 11.7A, 10V
    无卤素
    3520pF @ 25V
    81nC @ 10V
    16ns
    30V
    ±25V
    9.2A
    25V
    -30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7904TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    Tin
    8
    SILICON
    -
    7.6A 11A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    16.2m Ω @ 7.6A, 10V
    -
    910pF @ 15V
    11nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    11A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16.2MOhm
    2W
    IRF7904PBF
    Dual
    1.4W 2W
    2.25V @ 25μA
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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