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首页 全部分类 BSO150N03 vs NTMS4872NR2G

BSO150N03备选型号: NTMS4872NR2G

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 端子位置
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    BSO150N03
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    哑光锡
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    30V
    1.4W
    鸥翼
    260
    9.1A
    40
    BSO150N03
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.4W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    15m Ω @ 9.1A, 10V
    2V @ 25μA
    1890pF @ 15V
    15nC @ 5V
    4ns
    4 ns
    7.6A
    MS-012AA
    20V
    0.015Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    100 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMS4872NR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6A Ta 10.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.49W
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 10.2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    15nC @ 4.5V
    22ns
    22 ns
    8A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    200 pF
    符合RoHS标准
    无铅
    OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
    DUAL
    ±20V
    6A
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