Infineon Technologies BSO150N03
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BSO150N03
1211-BSO150N03
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
--最小包装量--
BSO150N03详情
Infineon Technologies BSO150N03重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
1.4W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
9.1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BSO150N03
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
15m Ω @ 9.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1890pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 5V
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
7.6A
JEDEC-95代码
MS-012AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.015Ohm
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
100 pF
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSO150N03拓展信息
Infineon Technologies
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