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首页 全部分类 BSO220N03MSGXUMA1 vs DMG4800LSD-13

BSO220N03MSGXUMA1备选型号: DMG4800LSD-13

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  • 场效应管特性
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    BSO220N03MSGXUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.56W
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 8.6A, 10V
    2.1V @ 250μA
    800pF @ 15V
    10.4nC @ 10V
    30V
    ±20V
    7A
    20V
    0.022Ohm
    30V
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • Diodes Incorporated
    DMG4800LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    260
    40
    -
    增强型MOSFET
    1.17W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    16m Ω @ 9A, 10V
    1.6V @ 250μA
    798pF @ 10V
    8.56nC @ 5V
    30V
    -
    7.5A
    25V
    0.016Ohm
    -
    ROHS3 Compliant
    16 Weeks
    73.992255mg
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn) - annealed
    HIGH RELIABILITY
    1.17W
    DMG4800LSD
    8
    Dual
    5.03 ns
    4.5ns
    8.55 ns
    1.6V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.7mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    无铅
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