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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.683009
10
¥2.531141
100
¥2.387869
500
¥2.252707
1000
¥2.125194
Diodes Incorporated DMC3021LSD-13
- 收藏
- 对比
DMC3021LSD-13
671-DMC3021LSD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC3021LSD-13详情
Diodes Incorporated DMC3021LSD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.5A 7A
Turn Off Delay Time
50.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
2.5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DMC3021
引脚数量
8
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
21m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
767pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.1nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
8.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMC3021LSD-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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