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首页 全部分类 BSO330N02KGFUMA1 vs FDS9926A

BSO330N02KGFUMA1备选型号: FDS9926A

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  • 场效应管特性
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  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSO330N02KGFUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    1.4W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    BSO330N02
    8
    不合格
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 20μA
    730pF @ 10V
    4.9nC @ 4.5V
    16.8ns
    20V
    2.8 ns
    5.4A
    12V
    0.03Ohm
    19 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9926A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2003
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    650pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    9ns
    -
    4 ns
    6.5A
    10V
    0.03Ohm
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    187mg
    e3
    SMD/SMT
    Tin (Sn)
    20V
    6.5A
    Dual
    900mW
    1V
    20V
    20V
    1 V
    5mm
    1.5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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