Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1
- 收藏
- 对比
BSO330N02KGFUMA1
1211-BSO330N02KGFUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin DSO
--最小包装量--
BSO330N02KGFUMA1详情
Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
13.4 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大功率耗散
1.4W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSO330N02
引脚数量
8
资历状况
不合格
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 6.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 20μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
730pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.9nC @ 4.5V
上升时间
16.8ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
2.8 ns
连续放电电流(ID)
5.4A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
雪崩能量等级(Eas)
19 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
BSO330N02KGFUMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。