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首页 全部分类 BSO613SPVGHUMA1 vs IRF7379TRPBF

BSO613SPVGHUMA1备选型号: IRF7379TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 高度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSO613SPVGHUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    PG-SO 8
    3.44A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    雪崩 额定
    -60V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -3.44A
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    P-Channel
    130m Ω @ 3.44A, 10V
    4V @ 1mA
    不含卤素
    875pF @ 25V
    30nC @ 10V
    11ns
    60V
    ±20V
    -3.44A
    -3V
    20V
    -60V
    -60V
    1.75mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7379TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    -
    5.8A 4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    5.8A
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    N and P-Channel
    45m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    -
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    -
    -
    -
    5.8A
    -
    20V
    -
    30V
    1.4986mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn)
    2.5W
    IRF7379PBF
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    0.045Ohm
    46A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
  • 添加型号
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