Infineon Technologies BSO613SPVGHUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PG-SO 8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.44A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-3.44A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 3.44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

875pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

-3.44A

阈值电压

-3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-60V

漏源击穿电压

-60V

高度

1.75mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅