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首页 全部分类 BSO615NGHUMA1 vs BSO615CGHUMA1

BSO615NGHUMA1备选型号: BSO615CGHUMA1

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  • 额定电流
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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    BSO615NGHUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    60V
    鸥翼
    2.6A
    BSO615
    8
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    150m Ω @ 2.6A, 4.5V
    2V @ 20μA
    不含卤素
    380pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    2.6A
    20V
    60V
    0.15Ohm
    10.4A
    60 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSO615CGHUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A Automotive 8-Pin DSO T/R
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.1A 2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    雪崩 额定
    -
    鸥翼
    -
    BSO615
    8
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    110m Ω @ 3.1A, 10V
    2V @ 20μA
    不含卤素
    380pF @ 25V
    22.5nC @ 10V
    -
    -
    20V
    60V
    0.11Ohm
    -
    47 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DUAL
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.1A
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