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首页 全部分类 BSP125L6327HTSA1 vs ZVP0545GTA

BSP125L6327HTSA1备选型号: ZVP0545GTA

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSP125L6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    120mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2003
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    45 Ω @ 120mA, 10V
    2.3V @ 94μA
    150pF @ 25V
    6.6nC @ 10V
    14.4ns
    600V
    ±20V
    110 ns
    120mA
    20V
    600V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZVP0545GTA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET P-CH 450V 0.075A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    SILICON
    75mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    4
    -
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    150 Ω @ 50mA, 10V
    4.5V @ 1mA
    120pF @ 25V
    -
    15ns
    450V
    ±20V
    20 ns
    75mA
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    17 Weeks
    Tin
    7.994566mg
    150Ohm
    -450V
    -75mA
    R-PDSO-G4
    1
    Single
    0.075A
    5 pF
    35ns
    25ns
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无铅
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