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首页 全部分类 BSP129H6327XTSA1 vs ZVN2120GTA

BSP129H6327XTSA1备选型号: ZVN2120GTA

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    BSP129H6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    PG-SOT223-4
    350mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    4
    1
    240V
    Single
    35A
    1.7W
    DRAIN
    4.4 ns
    N-Channel
    6 Ω @ 350mA, 10V
    1V @ 108μA
    无卤素
    108pF @ 25V
    5.7nC @ 5V
    4.1ns
    ±20V
    35 ns
    120mA
    -2.1V
    20V
    240V
    20Ohm
    240V
    240V
    150°C
    耗尽模式
    -1.4 V
    1.8mm
    6.5mm
    3.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZVN2120GTA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    -
    320mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    4
    1
    -
    Single
    -
    2W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    10 Ω @ 250mA, 10V
    3V @ 1mA
    -
    85pF @ 25V
    -
    8ns
    ±20V
    12 ns
    320mA
    1V
    20V
    -
    -
    200V
    -
    -
    -
    -
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7.994566mg
    10Ohm
    Matte Tin (Sn)
    200V
    260
    320mA
    40
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.32A
    2A
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