Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1
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BSP88H6327XTSA1
1211-BSP88H6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A T/R
--最小包装量--
BSP88H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT223-4
质量
250.212891mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
350mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
17.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
3.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 108μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
95pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.8nC @ 10V
上升时间
3.5ns
漏源电压 (Vdss)
240V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
18.9 ns
连续放电电流(ID)
350mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
240V
漏源击穿电压
240V
输入电容
76pF
漏源电阻
6Ohm
最大rds
600 mΩ
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSP88H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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