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首页 全部分类 BSP171PH6327XTSA1 vs ZXMN10A08GTA

BSP171PH6327XTSA1备选型号: ZXMN10A08GTA

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 无卤素
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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 通道数量
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    BSP171PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    4
    60V
    Single
    19A
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    6 ns
    P-Channel
    300m Ω @ 1.9A, 10V
    2V @ 460μA
    无卤素
    460pF @ 25V
    20nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    87 ns
    1.45A
    1.5V
    20V
    -60V
    0.3Ohm
    60V
    -60V
    1.5 V
    55 pF
    1.6mm
    6.5mm
    6.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN10A08GTA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    SILICON
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    4
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    3.9W
    DRAIN
    3.4 ns
    N-Channel
    250m Ω @ 3.2A, 10V
    2V @ 250μA
    -
    405pF @ 50V
    7.7nC @ 10V
    2.2ns
    ±20V
    3.2 ns
    2A
    -
    20V
    -
    -
    100V
    -
    -
    -
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7.994566mg
    250mOhm
    Matte Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    40
    R-PDSO-G4
    不合格
    1
    SWITCHING
    2A
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