Infineon Technologies BSP295L6327HTSA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 1.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 400μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

368pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

9.9ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

1.8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.5Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7.2A

DS 击穿电压-最小值

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准