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首页 全部分类 BSP295L6327HTSA1 vs BSP170PL6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1备选型号: BSP170PL6327HTSA1

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 晶体管应用
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSP295L6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2002
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    哑光锡
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    5.4 ns
    N-Channel
    300m Ω @ 1.8A, 10V
    1.8V @ 400μA
    368pF @ 25V
    17nC @ 10V
    9.9ns
    60V
    ±20V
    19 ns
    1.8A
    20V
    0.5Ohm
    7.2A
    60V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP170PL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    14 ns
    P-Channel
    300m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 25V
    14nC @ 10V
    -
    60V
    ±20V
    60 ns
    1.9A
    20V
    0.3Ohm
    7.6A
    60V
    无
    符合RoHS标准
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SWITCHING
    70 mJ
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