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首页 全部分类 BSP299H6327XUSA1 vs BSP298H6327XUSA1

BSP299H6327XUSA1备选型号: BSP298H6327XUSA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 终止次数
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  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    BSP299H6327XUSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    400mA Ta
    4V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2009
    e3
    yes
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    4 Ω @ 400mA, 10V
    无卤素
    400pF @ 25V
    15ns
    ±20V
    30 ns
    400mA
    3V
    20V
    500V
    4Ohm
    500V
    3 V
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP298H6327XUSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    500mA Ta
    4V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2008
    -
    -
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    1.8W
    -
    10 ns
    N-Channel
    3Ohm @ 500mA, 10V
    无卤素
    400pF @ 25V
    25ns
    ±20V
    20 ns
    500mA
    3V
    20V
    400V
    -
    400V
    3 V
    1.6mm
    6.5mm
    6.7mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    PG-SOT223-4
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    400V
    400V
    400pF
    2.2Ohm
    3 Ω
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