Infineon Technologies BSP298H6327XUSA1
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BSP298H6327XUSA1
1211-BSP298H6327XUSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans MOSFET N-CH 400V 0.5A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
BSP298H6327XUSA1详情
Infineon Technologies BSP298H6327XUSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
30 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SIPMOS®
已出版
2008
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
1.8W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 25V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
400V
漏源击穿电压
400V
双电源电压
400V
输入电容
400pF
漏源电阻
2.2Ohm
最大rds
3 Ω
栅源电压
3 V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
6.7mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSP298H6327XUSA1拓展信息
Infineon Technologies
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