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首页 全部分类 BSP299H6327XUSA1 vs FDT3N40TF

BSP299H6327XUSA1备选型号: FDT3N40TF

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  • 栅源电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
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  • 晶体管应用
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • Infineon Technologies
    BSP299H6327XUSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    400mA Ta
    4V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2009
    e3
    yes
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    4 Ω @ 400mA, 10V
    无卤素
    400pF @ 25V
    15ns
    ±20V
    30 ns
    400mA
    3V
    20V
    500V
    4Ohm
    500V
    3 V
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDT3N40TF
    ON Semiconductor
    FDT3N40TF N-Channel MOSFET, 2 A, 400 V UniFET, 3 Tab-Pin SOT-223 ON Semiconductor
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    2A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    2009
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    3.4 Ω @ 1A, 10V
    -
    225pF @ 25V
    30ns
    ±30V
    25 ns
    2A
    5V
    30V
    -
    -
    400V
    -
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    188mg
    R-PDSO-G4
    SWITCHING
    6nC @ 10V
    2A
    8A
    46 mJ
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