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首页 全部分类 BSP300H6327XUSA1 vs FQT1N80TF-WS

BSP300H6327XUSA1备选型号: FQT1N80TF-WS

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSP300H6327XUSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 800V 0.19A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    190mA Ta
    4V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2008
    e3
    yes
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    800V
    Single
    2A
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    20 Ω @ 190mA, 10V
    无卤素
    230pF @ 25V
    16ns
    ±20V
    21 ns
    190mA
    20V
    800V
    800V
    36 mJ
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQT1N80TF-WS
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-3
    3
    SILICON
    200mA Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    -
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    4
    -
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    20 Ω @ 100mA, 10V
    -
    195pF @ 25V
    25ns
    ±30V
    25 ns
    200mA
    30V
    -
    800V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    188mg
    R-PDSO-G4
    SWITCHING
    7.2nC @ 10V
    5V
    0.0002A
    5 pF
    not_compliant
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