Infineon Technologies BSP300H6327XUSA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

190mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

27 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

SIPMOS®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

电压

800V

元素配置

Single

电流

2A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

20 Ω @ 190mA, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

230pF @ 25V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

190mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

800V

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅