您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSP320SL6327HTSA1 vs BUK98150-55,135

BSP320SL6327HTSA1备选型号: BUK98150-55,135

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSP320SL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    TO-261-4, TO-261AA
    表面贴装
    表面贴装
    4
    PG-SOT223-4
    4V @ 20μA
    1.8W Ta
    2008
    SIPMOS®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.8W
    N-Channel
    120mOhm @ 2.9A, 10V
    340pF @ 25V
    12nC @ 10V
    60V
    ±20V
    2.9A
    20V
    340pF
    120 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK98150-55,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET TAPE13 PWR-MOS
    TO-261-4, TO-261AA
    表面贴装
    -
    -
    -
    2V @ 1mA
    1
    1998
    TrenchMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    N-Channel
    150m Ω @ 5A, 5V
    330pF @ 25V
    -
    55V
    ±10V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    e3
    yes
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.6A
    0.15Ohm
    30A
    55V
    15 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSP318SL6327HTSA1 BSP318SL6327HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比
BUK98150-55,135 BUK98150-55,135 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA MOSFET TAPE13 PWR-MOS 对比
BSP315PL6327HTSA1 BSP315PL6327HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比