NXP USA Inc. BUK98150-55,135

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

8.3W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

已出版

1998

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 5A, 5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

15 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant