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首页 全部分类 BSP322PH6327XTSA1 vs BSP296NH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1备选型号: BSP296NH6327XTSA1

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  • 元素配置
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 制造商包装标识符
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    BSP322PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    4.6 ns
    P-Channel
    800m Ω @ 1A, 10V
    1V @ 380μA
    无卤素
    372pF @ 25V
    16.5nC @ 10V
    4.3ns
    100V
    ±20V
    8.3 ns
    1A
    20V
    -100V
    1A
    0.8Ohm
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP296NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    3.5 ns
    N-Channel
    600m Ω @ 1.2A, 10V
    1.8V @ 100μA
    无卤素
    152.7pF @ 25V
    6.7nC @ 10V
    7.9ns
    -
    ±20V
    21.4 ns
    1.2A
    20V
    100V
    -
    0.6Ohm
    1.8mm
    6.5mm
    3.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    250.212891mg
    PG-SOT223-4
    1
    1.4V
    100V
    150°C
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