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首页 全部分类 BSP372L6327HTSA1 vs DMN10H220LE-13

BSP372L6327HTSA1备选型号: DMN10H220LE-13

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  • 晶体管元件材料
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSP372L6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    PG-SOT223-4
    1.7A Ta
    2V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.8W
    20 ns
    N-Channel
    310mOhm @ 1.7A, 5V
    520pF @ 25V
    35ns
    100V
    ±14V
    50 ns
    1.7A
    14V
    520pF
    310 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN10H220LE-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    -
    4.5V 10V
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    6.8 ns
    N-Channel
    220m Ω @ 1.6A, 10V
    401pF @ 25V
    8.2ns
    100V
    ±20V
    3.6 ns
    2.3A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    22 Weeks
    SILICON
    e3
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    DMN10H22
    AEC-Q101
    R-PDSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    8.3nC @ 10V
    0.22Ohm
    8A
    100V
    无铅
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